삼성전자가 파운드리 절대 강자인 TSMC를 추격하기 위해 고삐를 바짝 당겼다. 이 기업은 30일, 업계 판도를 바꿀 게임체인저로 준비해 온 GAA(Gate-All-Around) 기반의 3나노미터(nm) 초도 양산을 시작했다고 공식 발표했다. 반도체 기업의 기술력은 칩 안에서 전기 회로들이 다니는 길인 ‘선폭’을 얼마나 더 좁게 구현하느냐로 평가된다. 이때 사용하는 단위가 나노미터(nm)다. 1나노는 머리카락 굵기의 10만분의 1 수준이다. 미세공정을 실현해 작은 면적에 더 많은 회로를 그릴 수 있으면, 한 장의 웨이퍼(원형의 반도체 기판)로 찍어낼 수 있는 제품 수도 늘어난다. 생산성과 성능을 높이면서 반도체 크기를 줄일 수 있는 것이다. 예컨대 스마트폰에 탑재하는 반도체 크기와 전력소모를 줄이면, 그만큼 더 얇으면서 오래가는 고성능 제품을 만들 수 있다. 나노미터 숫자를 두고 반도체 기업이 치열한 경쟁을 펼치는 이유다. 삼성전자는 3나노 공정을 적용한 고성능 컴퓨팅(HPC, High-Perform