Muristek
삼성전자가 세계 최초로 3나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1ｍ) 공정 기반의 반도체 양산에 돌입한다. 29일 업계에 따르면 삼성전자는 30일께 3나노 공정 양산 돌입을 공식 발표한다. 첨단산업의 성장을 뒷받침하기 위한 고효율·저전력·초소형 초미세공정 칩 기술 분야에서 신기원을 이룬 것이다. 삼성전자는 3나노 공정 양산뿐 아니라 차세대 공정도 경쟁사보다 먼저 도입한다. GAA(Gate-All-Around) 기술은 초미세 공정의 가장 큰 난관으로 여겨지는 전력 효율 저하 문제를 극복할 수 있는 신기술이다. 업계에 따르면 3나노 GAA 공정을 활용하면 7나노 핀펫 대비 칩 면적은 45%, 소비전력의 경우 50% 절감할 수 있다. 성능도 약 35% 향상될 전망이다. 반면 대만의 TSMC는 GAA 기술을 2나노 공정부터 적용할 예정이다. 2026년께 첫 제품이 나올 전망이어서 삼성전자는 선단 공정 경쟁에 한발 앞서 나가게 됐다. 삼성전자는 이어 내년에는 3나노 2세대 제품을, 2025년에는 2나노 제품을
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